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RJP020N06T100备选型号: BSS225H6327FTSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 系列
- 附加功能
- 最大双电源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-8910 Weeks表面贴装表面贴装TO-243AA3SILICON2A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2006yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99300MOhmTIN/TIN COPPER8541.21.00.9560VFLAT2602.5A103Single增强型MOSFET500mWDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING240m Ω @ 2A, 4.5V1.5V @ 1mA160pF @ 10V10nC @ 4V18ns±12V20 ns2A4.5V12V2A60V4.5 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-243AA3SILICON1-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2011yes活跃1 (Unlimited)3EAR99---600VFLAT未说明90mA未说明3Single增强型MOSFET1WDRAIN14 nsN-Channel-45 Ω @ 90mA, 10V2.3V @ 94μA131pF @ 25V5.8nC @ 10V38ns±20V41 ns90mA-20V0.09A600V---ROHS3 Compliant含铅TinSIPMOS®逻辑电平兼容600V4.4 pF1.5mm4.5mm2.5mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-243AA | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R | 对比 |
 | PCP1402-TD-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-243AA | ON SEMICONDUCTOR PCP1402-TD-H MOSFET Transistor, N Channel, 1.2 A, 250 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.5 V | 对比 |
 | ZXMN3A01ZTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-243AA | MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 | 对比 |
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