ROHM Semiconductor RJP020N06T100

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

300MOhm

端子表面处理

TIN/TIN COPPER

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

60V

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

240m Ω @ 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

160pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 4V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

2A

阈值电压

4.5V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

60V

栅源电压

4.5 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅