RJU002N06FRAT106备选型号: SN7002WH6327XTSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 底架
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON16 Weeks表面贴装SC-70, SOT-323YES3SILICON11.5V @ 1mA150°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101活跃1 (Unlimited)3EAR99DUAL鸥翼未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING2.3 Ω @ 200mA, 4.5V18pF @ 10V60V±12V200mA1.5V0.2A60VUnknownROHS3 Compliant-----------------------
- Single N-Channel 60 V 5 Ohm 1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-32310 Weeks表面贴装SC-70, SOT-323-3SILICON230mA Ta1.8V @ 26μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SIPMOS®活跃1 (Unlimited)3EAR99DUAL鸥翼---增强型MOSFETN-Channel-5 Ω @ 230mA, 10V45pF @ 25V-±20V230mA----ROHS3 Compliant表面贴装1996e3yesTin (Sn)1Single500mW2.4 ns无卤素1.5nC @ 10V2.8ns8.5 ns20V60V5Ohm60V4.5 pF800μm2mm1.25mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BS870-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET, N CH, 60V, 0.25A, SOT-23 | 对比 |
![]() | SN7002WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | Single N-Channel 60 V 5 Ohm 1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-323 | 对比 |




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