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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.857451
10
¥0.808916
100
¥0.763129
500
¥0.719933
1000
¥0.679181
ROHM Semiconductor RJU002N06FRAT106
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- 对比
RJU002N06FRAT106
2078-RJU002N06FRAT106
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RJU002N06FRAT106详情
ROHM Semiconductor RJU002N06FRAT106重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
200mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.3 Ω @ 200mA, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
18pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
200mA
阈值电压
1.5V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2A
DS 击穿电压-最小值
60V
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RJU002N06FRAT106拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor









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