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RQ6E055BNTCR备选型号: BSL302SNH6327XTSA1
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 漏源电压 (Vdss)
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- RoHS状态
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- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
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- 端子表面处理
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- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT20 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-65.5A Ta150°C TJCut Tape (CT)2014yes活跃1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel25m Ω @ 5.5A, 10V2.5V @ 1mA355pF @ 15V8.6nC @ 10V30V±20V5.5AROHS3 Compliant----------------------
MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-67.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013-Obsolete1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel25m Ω @ 7.1A, 10V2V @ 30μA750pF @ 15V6.6nC @ 5V-±20V7.1AROHS3 Compliant6SILICONOptiMOS™e36EAR99Tin (Sn)AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET6.4 ns无卤素2.8ns1.9 ns20V30V0.025Ohm28A30 mJ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMA8884 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-VDFN Exposed Pad | MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 |
| BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP | 对比 |
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