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RQ6E055BNTCR备选型号: FDMA8884
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 生命周期状态
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- HTS代码
- 端子位置
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- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
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- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
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- 辐射硬化
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT20 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-65.5A Ta150°C TJCut Tape (CT)2014yes活跃1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel25m Ω @ 5.5A, 10V2.5V @ 1mA355pF @ 15V8.6nC @ 10V30V±20V5.5AROHS3 Compliant-----------------------------
MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET16 Weeks表面贴装表面贴装6-VDFN Exposed Pad6.5A Ta 8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2017yes活跃1 (Unlimited)--N-Channel23m Ω @ 6.5A, 10V3V @ 250μA450pF @ 15V7.5nC @ 10V-±20V6.5AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 4 days ago)630mgSILICONPowerTrench®e46EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)ULTRA-LOW RESISTANCE8541.29.00.95DUALSingle增强型MOSFET1.9WDRAIN5 nsSWITCHING1ns1 ns20V8A0.023Ohm30V28 pF750μm2mm2mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3404L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 | 对比 |
 | BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP | 对比 |
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