ROHM Semiconductor RQ6E055BNTCR
- 收藏
- 对比
RQ6E055BNTCR
2078-RQ6E055BNTCR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
--最小包装量--
RQ6E055BNTCR详情
ROHM Semiconductor RQ6E055BNTCR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
1.25W Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2014
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 5.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
355pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
5.5A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RQ6E055BNTCR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor








哦! 它是空的。