RSD140P06TL备选型号: FQD20N06TF

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度(Tj)
  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    14A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e2
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Copper (Sn98Cu2)
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    20W
    20 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    84m Ω @ 14A, 10V
    3V @ 1mA
    1900pF @ 10V
    27nC @ 10V
    45ns
    60V
    ±20V
    110 ns
    14A
    20V
    -60V
    28A
    150°C
    2.65mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    2.5W Ta 38W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    2.5W
    -
    N-Channel
    -
    63m Ω @ 8.4A, 10V
    4V @ 250μA
    590pF @ 25V
    15nC @ 10V
    45ns
    -
    ±25V
    25 ns
    16.8A
    25V
    60V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    QFET®
    60V
    16.8A
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