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首页 全部分类 RSD140P06TL vs IPD800N06NGBTMA1

RSD140P06TL备选型号: IPD800N06NGBTMA1

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 箱体转运
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ROHM Semiconductor
    RSD140P06TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    14A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e2
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Copper (Sn98Cu2)
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    20W
    20 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    84m Ω @ 14A, 10V
    3V @ 1mA
    1900pF @ 10V
    27nC @ 10V
    45ns
    60V
    ±20V
    110 ns
    14A
    20V
    -60V
    28A
    150°C
    2.65mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD800N06NGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    47W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 16μA
    370pF @ 30V
    10nC @ 10V
    38ns
    60V
    ±20V
    27 ns
    16A
    20V
    -
    64A
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    OptiMOS™
    no
    雪崩 额定
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    TO-252AA
    0.08Ohm
    60V
    43 mJ
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