ROHM Semiconductor RSD140P06TL
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RSD140P06TL
2078-RSD140P06TL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
--最小包装量--
RSD140P06TL详情
ROHM Semiconductor RSD140P06TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
20W Tc
Turn Off Delay Time
240 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e2
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn98Cu2)
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
20W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
84m Ω @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1900pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
上升时间
45ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
110 ns
连续放电电流(ID)
14A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
28A
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
2.65mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RSD140P06TL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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Rohm










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