RSD140P06TL
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ROHM Semiconductor RSD140P06TL

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型号

RSD140P06TL

utmel 编号

2078-RSD140P06TL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 60V 14A CPT3

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RSD140P06TL
RSD140P06TL ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 60V 14A CPT3

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RSD140P06TL详情

ROHM Semiconductor RSD140P06TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    14A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    20W Tc

  • Turn Off Delay Time

    240 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e2

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Copper (Sn98Cu2)

  • 终端形式

    鸥翼

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    20W

  • 接通延迟时间

    20 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    84m Ω @ 14A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1900pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    27nC @ 10V

  • 上升时间

    45ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    110 ns

  • 连续放电电流(ID)

    14A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    -60V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    28A

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 高度

    2.65mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ROHM Semiconductor RSD140P06TL.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & RSD140P06TL相似的参数规格。

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RSD140P06TL拓展信息

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