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首页 全部分类 RT1E050RPTR vs MCH6436-TL-W

RT1E050RPTR备选型号: MCH6436-TL-W

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    RT1E050RPTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 5A TSST8
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    5A Ta
    2.5V @ 1mA
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2010
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    260
    10
    R-PDSO-F8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 5A, 10V
    1300pF @ 10V
    13nC @ 5V
    30V
    ±20V
    5A
    5A
    0.036Ohm
    20A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6436-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    1.5W Ta
    1.3V @ 1mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    34m Ω @ 3A, 4.5V
    710pF @ 10V
    7.5nC @ 4.5V
    30V
    ±12V
    6A
    6A
    0.034Ohm
    24A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e6
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    防静电
    11 ns
    33ns
    52 ns
    20V
    not_compliant
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MCH6436-TL-W MCH6436-TL-W ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-SMD, Flat Leads MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6 对比