ROHM Semiconductor RT1E050RPTR

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.25W Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2010

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

36m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

5A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.036Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅