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RTQ025P02TR备选型号: FDFC2P100

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 正向电流
  • 场效应管特性
  • ROHM Semiconductor
    RTQ025P02TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -2.5A
    10
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.25W
    12 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.5A, 4.5V
    2V @ 1mA
    580pF @ 10V
    6.4nC @ 4.5V
    20ns
    20V
    ±12V
    20 ns
    2.5A
    -2V
    12V
    0.11Ohm
    -20V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDFC2P100
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    -
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.5W
    -
    P-Channel
    -
    150m Ω @ 3A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    445pF @ 10V
    4.7nC @ 10V
    11ns
    20V
    ±12V
    11 ns
    3A
    -900mV
    12V
    -
    -20V
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    -
    PowerTrench®
    1mA
    Schottky Diode (Isolated)
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