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RTQ025P02TR备选型号: IRLMS1902TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- JESD-30代码
- 元素配置
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2003e1yes不用于新设计1 (Unlimited)6EAR99-20VDUAL鸥翼260-2.5A106SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.25W12 nsP-ChannelSWITCHING100m Ω @ 2.5A, 4.5V2V @ 1mA580pF @ 10V6.4nC @ 4.5V20ns20V±12V20 ns2.5A-2V12V0.11Ohm-20V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP表面贴装表面贴装SOT-23-63SILICON3.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2004e3-活跃1 (Unlimited)6-20VDUAL鸥翼-3.2A---增强型MOSFET1.7W7 nsN-ChannelSWITCHING100m Ω @ 2.2A, 4.5V700mV @ 250μA300pF @ 15V7nC @ 4.5V11ns-±12V4 ns3.2A700mV12V-20V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksHEXFET®10OhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYR-PDSO-G6Single700 mV1.143mm2.9972mm1.75mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDC6401N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
| FDC6420C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mV | 对比 |
| FDFC2P100 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV | 对比 |
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