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首页 全部分类 RUE003N02TL vs DMP21D2UFA-7B

RUE003N02TL备选型号: DMP21D2UFA-7B

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电容量
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 箱体转运
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ROHM Semiconductor
    RUE003N02TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    3
    SILICON
    300mA Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    3
    Single
    增强型MOSFET
    150mW
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 300mA, 4V
    1V @ 1mA
    25pF @ 10V
    10ns
    ±8V
    10 ns
    300mA
    300mV
    8V
    1.4Ohm
    20V
    300 mV
    700μm
    1.6mm
    800μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP21D2UFA-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    330mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e4
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    无铅
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    10.3 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 200mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    49pF @ 15V
    37.3ns
    ±8V
    163 ns
    330mA
    -
    8V
    1Ohm
    -20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    49pF
    未说明
    未说明
    R-PSSO-N2
    1
    DRAIN
    0.8nC @ 4.5V
    20V
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