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首页 全部分类 RUE003N02TL vs FDY2000PZ

RUE003N02TL备选型号: FDY2000PZ

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 端子位置
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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • 最大功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • ROHM Semiconductor
    RUE003N02TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    3
    SILICON
    300mA Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    3
    Single
    增强型MOSFET
    150mW
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 300mA, 4V
    1V @ 1mA
    25pF @ 10V
    10ns
    ±8V
    10 ns
    300mA
    300mV
    8V
    1.4Ohm
    20V
    300 mV
    700μm
    1.6mm
    800μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDY2000PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    FLAT
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    630mW
    6 ns
    2 P-Channel (Dual)
    -
    1.2 Ω @ 350mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    100pF @ 10V
    13ns
    -
    13 ns
    350mA
    -1.03V
    8V
    -
    -20V
    -
    600μm
    1.7mm
    1.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    32mg
    PowerTrench®
    625mW
    446mW
    1.4nC @ 4.5V
    20V
    0.35A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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