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RV2C002UNT2L备选型号: NTND31015NZTAG
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- 操作模式
- 功率 - 最大
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- 场效应管特性
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MOSFET N-CH 20V 0.18A VML100616 Weeks表面贴装表面贴装SC-101, SOT-8831006180mA Ta150°C TJCut Tape (CT)2013yes活跃1 (Unlimited)EAR991.4Ohm未说明未说明N-Channel2 Ω @ 150mA, 4.5V1V @ 100μA12pF @ 10V20V±10V180mA1V无SVHCROHS3 Compliant-----------------
MOSFET NFET XLLGA6 20V 200M5 Weeks表面贴装表面贴装6-XFLGA62-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015yes活跃1 (Unlimited)--未说明未说明2 N-Channel (Dual)1.5 Ω @ 100mA, 4.5V1V @ 250μA12.3pF @ 15V20V-200mA--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)SILICONe46Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)125mWBOTTOM无铅SEPERATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR增强型MOSFET125mWSWITCHING0.2A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN2005LP4K-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | Single N-Channel 20 V 1.5 Ohm Enhancement Mode Transistor-DFN-3 | 对比 |
| NTND31015NZTAG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-XFLGA | MOSFET NFET XLLGA6 20V 200M | 对比 |
 | FDY4001CZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 | 对比 |
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