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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.692369
10
¥0.653178
100
¥0.616206
500
¥0.581326
1000
¥0.548421
ON Semiconductor NTND31015NZTAG
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- 对比
NTND31015NZTAG
1807-NTND31015NZTAG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-XFLGA
大陆
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MOSFET NFET XLLGA6 20V 200M
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTND31015NZTAG详情
ON Semiconductor NTND31015NZTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
5 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFLGA
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
125mW
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SEPERATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
125mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5 Ω @ 100mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
12.3pF @ 15V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
200mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2A
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTND31015NZTAG拓展信息









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