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首页 全部分类 RW1A020ZPT2R vs NTLJD2104PTAG

RW1A020ZPT2R备选型号: NTLJD2104PTAG

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  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • Reach合规守则
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管特性
  • ROHM Semiconductor
    RW1A020ZPT2R
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    6
    1
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    150°C
    -55°C
    700mW
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    10 ns
    SWITCHING
    17ns
    12V
    P-CHANNEL
    35 ns
    2A
    10V
    2A
    -12V
    770pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    75mOhm
    105 mΩ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTLJD2104PTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
    -
    表面贴装
    6
    2
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    700mW
    -
    无铅
    未说明
    未说明
    6
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    SWITCHING
    12.3ns
    12V
    -
    16.2 ns
    2.4A
    8V
    3.5A
    -12V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    unknown
    不合格
    Dual
    2.3W
    DRAIN
    2 P-Channel (Dual)
    90m Ω @ 3A, 4.5V
    800mV @ 250μA
    467pF @ 6V
    8nC @ 4.5V
    0.12Ohm
    逻辑电平门
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