ON Semiconductor NTLJD2104PTAG

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

700mW

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.3W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

800mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

467pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8nC @ 4.5V

上升时间

12.3ns

漏源电压 (Vdss)

12V

下降时间（典型值）

16.2 ns

连续放电电流(ID)

2.4A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.12Ohm

漏源击穿电压

-12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅