ROHM Semiconductor RW1A020ZPT2R
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RW1A020ZPT2R
2078-RW1A020ZPT2R
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
--最小包装量--
RW1A020ZPT2R详情
ROHM Semiconductor RW1A020ZPT2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
引脚数
6
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
65 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
700mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
17ns
漏源电压 (Vdss)
12V
极性/通道类型
P-CHANNEL
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏源击穿电压
-12V
输入电容
770pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
75mOhm
最大rds
105 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RW1A020ZPT2R拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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