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首页 全部分类 RW1A030APT2CR vs FDN306P

RW1A030APT2CR备选型号: FDN306P

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  • 场效应管类型
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  • RoHS状态
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  • 生命周期状态
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  • 供应商器件包装
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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RW1A030APT2CR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    3A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    42m Ω @ 3A, 4.5V
    1V @ 1mA
    2700pF @ 6V
    22nC @ 4.5V
    12V
    -8V
    3A
    3A
    0.042Ohm
    12V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN306P
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    -
    40mOhm @ 2.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1138pF @ 6V
    17nC @ 4.5V
    12V
    ±8V
    -2.6A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    Tin
    SuperSOT-3
    PowerTrench®
    SMD/SMT
    40MOhm
    150°C
    -55°C
    -12V
    -2.6A
    12V
    Single
    26A
    500mW
    11 ns
    10ns
    10 ns
    -600mV
    8V
    -12V
    -12V
    1.138nF
    40mOhm
    40 mΩ
    -600 mV
    940μm
    2.92mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
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