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首页 全部分类 RW1C015UNT2R vs FDC6306P

RW1C015UNT2R备选型号: FDC6306P

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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    RW1C015UNT2R
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    1.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1V @ 1mA
    110pF @ 10V
    1.8nC @ 4.5V
    5ns
    20V
    ±10V
    3 ns
    1.5A
    10V
    0.24Ohm
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6306P
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    6 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    170m Ω @ 1.9A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    441pF @ 10V
    4.2nC @ 4.5V
    9ns
    20V
    -
    9 ns
    1.9A
    8V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    36mg
    PowerTrench®
    170mOhm
    -20V
    960mW
    -1.9A
    Dual
    960mW
    700mW
    -900mV
    -20V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -900 mV
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
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