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首页 全部分类 RW1C015UNT2R vs MCH6660-TL-W

RW1C015UNT2R备选型号: MCH6660-TL-W

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 最大功率耗散
  • 极性/通道类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • ROHM Semiconductor
    RW1C015UNT2R
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    1.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1V @ 1mA
    110pF @ 10V
    1.8nC @ 4.5V
    5ns
    20V
    ±10V
    3 ns
    1.5A
    10V
    0.24Ohm
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6660-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    2A 1.5A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    DUAL
    -
    未说明
    未说明
    -
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    136m Ω @ 1A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    128pF @ 10V
    1.8nC @ 4.5V
    -
    20V
    -
    -
    1.5A
    10V
    -
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    800mW
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    2A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 1.8V Drive
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