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首页 全部分类 RW1C015UNT2R vs IRF7507TRPBF

RW1C015UNT2R备选型号: IRF7507TRPBF

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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 极性/通道类型
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    RW1C015UNT2R
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    1.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1V @ 1mA
    110pF @ 10V
    1.8nC @ 4.5V
    5ns
    20V
    ±10V
    3 ns
    1.5A
    10V
    0.24Ohm
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7507TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    SILICON
    2.4A 1.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    140m Ω @ 1.7A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    260pF @ 15V
    8nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    2.4A
    12V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    270mOhm
    超低电阻
    1.25W
    IRF7507PBF
    1.25W
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    700mV
    20V
    19A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    700 mV
    860μm
    3mm
    3mm
    无SVHC
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