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首页 全部分类 RZQ050P01TR vs STT6N3LLH6

RZQ050P01TR备选型号: STT6N3LLH6

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  • 终止次数
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  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 系列
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RZQ050P01TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1.25W
    12 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 5A, 4.5V
    1V @ 1mA
    2850pF @ 6V
    35nC @ 4.5V
    100ns
    12V
    ±10V
    225 ns
    5A
    -300mV
    10V
    5A
    -12V
    20A
    -300 mV
    950μm
    3mm
    1.8mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STT6N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    -
    6A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    1.6W
    4.8 ns
    N-Channel
    -
    25m Ω @ 3A, 10V
    1V @ 250μA
    283pF @ 24V
    3.6nC @ 4.5V
    11.2ns
    -
    ±20V
    5.4 ns
    6A
    -
    20V
    6A
    30V
    -
    -
    1.3mm
    3.05mm
    1.75mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STT6N
    无铅
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