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首页 全部分类 S34MS02G100BHI000 vs RC28F256P30BFE

S34MS02G100BHI000备选型号: RC28F256P30BFE

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  • 时钟频率
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  • 辐射硬化
  • Cypress Semiconductor Corp
    S34MS02G100BHI000
    Cypress Semiconductor Corp
    Flash Memory 2Gb, 1.8V, 45ns NAND Flash
    6 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    63-VFBGA
    63
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    MS-1
    2014
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    63
    8542.32.00.51
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    不合格
    1.8V
    1.95V
    1.7V
    2Gb 256M x 8
    20mA
    FLASH
    Parallel
    256MX8
    8
    45ns
    28b
    2 Gb
    0.000045A
    45 ns
    Asynchronous
    8b
    NO
    NO
    YES
    2K
    128K
    2kB
    YES
    11mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    RC28F256P30BFE
    Micron Technology Inc.
    IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
    -
    -
    -
    表面贴装
    64-TBGA
    64
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    StrataFlash™
    2004
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    1.7V~2V
    -
    -
    -
    -
    -
    1.8V
    -
    -
    256Mb 16M x 16
    31mA
    FLASH
    Parallel
    -
    -
    100ns
    24b
    256 Mb
    -
    -
    Asynchronous
    16b
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    -
    64-EasyBGA (10x13)
    85°C
    -40°C
    28F256P30
    1.7V
    Parallel, Serial
    2V
    1.7V
    52MHz
    100ns
    无
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