Cypress Semiconductor Corp S34MS02G100BHI000
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S34MS02G100BHI000
603-S34MS02G100BHI000
存储器
63-VFBGA
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Flash Memory 2Gb, 1.8V, 45ns NAND Flash
--最小包装量--
S34MS02G100BHI000详情
Cypress Semiconductor Corp S34MS02G100BHI000重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-VFBGA
引脚数
63
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
系列
MS-1
已出版
2014
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
2Gb 256M x 8
电源电流
20mA
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
256MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
地址总线宽度
28b
密度
2 Gb
待机电流-最大值
0.000045A
访问时间(最大)
45 ns
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
2K
行业规模
128K
页面尺寸
2kB
准备就绪/忙碌
YES
长度
11mm
座位高度(最大)
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
S34MS02G100BHI000拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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