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首页 全部分类 SBC847CDW1T1G vs RN4982,LF(CT

SBC847CDW1T1G备选型号: RN4982,LF(CT

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  • 频率转换
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 附加功能
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 功率 - 最大
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • ON Semiconductor
    SBC847CDW1T1G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    45V
    600mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    380mW
    鸥翼
    BC847CD
    6
    NPN
    SEPARATE, 2 ELEMENTS
    AMPLIFIER
    无卤素
    2 NPN (Dual)
    45V
    100mA
    420 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    600mV @ 5mA, 100mA
    100MHz
    100MHz
    100MHz
    50V
    6V
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN4982,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    SILICON
    50V
    -
    -
    Cut Tape (CT)
    -
    2014
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    200mW
    鸥翼
    -
    -
    NPN, PNP
    -
    SWITCHING
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    50 @ 10mA 5V
    100μA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    250MHz
    250MHz 200MHz
    -
    -10V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    6.010099mg
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    unknown
    R-PDSO-G6
    2
    200mW
    50V
    10k Ω
    -100mA
    10k Ω
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