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SGL50N60RUFDTU备选型号: FGL60N100BNTDTU
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- IGBT类型
IGBT 600V 80A 250W TO264ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)5 WeeksTin通孔通孔TO-264-3, TO-264AA36.756gSILICON600V2.2V-55°C~150°C TJTube2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING8541.29.00.95100V250W40ASingle250WStandard26 nsMOTOR CONTROLN-CHANNEL600V80A100ns119 ns2.8V @ 15V, 50A80A329 ns145nC150A26ns/66ns1.68mJ (on), 1.03mJ (off)20V8V160ns26mm20mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---- Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin(3 Tab) TO-264 RailACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)10 Weeks-通孔通孔TO-264-3, TO-264AA36.756gSILICON1kV1.5V-55°C~150°C TJTube-e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99-8541.29.00.951kV180W60ASingle180WStandard-电源控制N-CHANNEL1kV60A1.2 μs460 ns2.9V @ 15V, 60A-760 ns275nC120A140ns/630ns----26mm20mm5mm-无ROHS3 Compliant无铅Tin (Sn)1000VNPT和沟槽
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SGL160N60UFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SGL160N60UFDTU.IGBT Single Transistor, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 Pins | 对比 |
| FGL60N100BNTD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins | 对比 |
 | APT80GA60LD40 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
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