ON Semiconductor FGL60N100BNTDTU

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

质量

6.756g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 60A, 51 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

1kV

最大功率耗散

180W

额定电流

60A

元素配置

Single

功率耗散

180W

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1kV

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

1.2 μs

电压 - 集射极击穿（最大值）

1000V

接通时间

460 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.9V @ 15V, 60A

关断时间-标准值（toff)

760 ns

IGBT类型

NPT和沟槽

闸门收费

275nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

140ns/630ns

高度

26mm

长度

20mm

宽度

5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅