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SGW13N60UFDTM备选型号: IRG4BC20UD-SPBF
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- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 包装
- 零件状态
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(2 Tab) D2PAK Rail表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3600V2.6VTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C600V60W6.5ASG*13N60Single60WStandard600V13A55 ns2.6V @ 15V, 6.5A25nC52A20ns/70ns85μJ (on), 95μJ (off)符合RoHS标准无铅--------------------------
IGBT 600V 13A 60W D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3600V2.1VTubeObsolete1 (Unlimited)--600V60W13A-Single60WStandard2.1V13A37 ns2.1V @ 15V, 6.5A27nC52A39ns/93ns160μJ (on), 130μJ (off)符合RoHS标准无铅14 WeeksSILICON-55°C~150°C TJ2001e32EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2COLLECTOR电源控制15nsN-CHANNEL55 ns320 ns20V6V170ns4.699mm10.668mm9.65mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRG4BC20KDSTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 16A 60W D2PAK | 对比 |
 | STGB7H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 14A 88W D2PAK | 对比 |
| IRG4BC20UD-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 13A 60W D2PAK | 对比 |
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