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1

￥16.928963
10

￥15.970715
100

￥15.066715
500

￥14.213878
1000

￥13.409324

ON Semiconductor SGW13N60UFDTM

Name: SGW13N60UFDTM
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-SGW13N60UFDTM
Price: 16.93 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SGW13N60UFDTM

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-SGW13N60UFDTM

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(2 Tab) D2PAK Rail

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SGW13N60UFDTM ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(2 Tab) D2PAK Rail

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SGW13N60UFDTM详情

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ON Semiconductor SGW13N60UFDTM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V
Collector-Emitter Saturation Voltage

2.6V
Test Conditions

300V, 6.5A, 50 Ω, 15V
包装

Tape & Reel (TR)
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
电压 - 额定直流

600V
最大功率耗散

60W
额定电流

6.5A
基本部件号

SG*13N60
元素配置

Single
功率耗散

60W
输入类型

Standard
集电极发射器电压(VCEO)

600V
最大集电极电流

13A
反向恢复时间

55 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.6V @ 15V, 6.5A
闸门收费

25nC
集极脉冲电流（Icm）

52A
Td（开/关）@25°C

20ns/70ns
开关能量

85μJ (on), 95μJ (off)
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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SGW13N60UFDTM拓展信息

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