SGW23N60UFDTM备选型号: NGB18N40CLBT4
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- IGBT 600V 23A 100W D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK600V2.1V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C600V100W12ASG*23N60Single100WStandard100W600V23A42 ns600V2.6V @ 15V, 12A49nC92A17ns/60ns115μJ (on), 135μJ (off)符合RoHS标准无铅----------------------
- Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-430V--55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)--400V115W18ANG*18N40CLSingle115WLogic-2.5V18A--2.5V @ 4V, 15A-50A--Non-RoHS Compliant含铅SILICON2010e02EAR99Tin/Lead (Sn80Pb20)鸥翼240not_compliant304R-PSSO-G2不合格COLLECTOR汽车点火装置4.5nsN-CHANNEL5200 ns13000 ns18V1.9V15000ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGB20N6S2D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 28A 125W TO263AB | 对比 |
| NGB18N40CLBT4 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 | |
![]() | FGB20N6S2 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 28A 125W TO263AB | 对比 |



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