ON Semiconductor FGB20N6S2
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FGB20N6S2
1807-FGB20N6S2
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT 600V 28A 125W TO263AB
--最小包装量--
FGB20N6S2详情
ON Semiconductor FGB20N6S2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
TO-263AB
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Current-Collector (Ic) (Max)
28A
Test Conditions
390V, 7A, 25Ohm, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
125W
额定电流
28A
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
125W
上升时间
4.5ns
集电极发射器电压(VCEO)
2.7V
最大集电极电流
28A
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 7A
闸门收费
30nC
集极脉冲电流(Icm)
40A
Td(开/关)@25°C
7.7ns/87ns
开关能量
25μJ (on), 58μJ (off)
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FGB20N6S2拓展信息
ON Semiconductor
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