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首页 全部分类 SH8K12TB1 vs FDS6930A

SH8K12TB1备选型号: FDS6930A

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    SH8K12TB1
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2W
    未说明
    未说明
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    42m Ω @ 5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    250pF @ 10V
    4nC @ 5V
    30V
    5A
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6930A
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    900mW
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    40m Ω @ 5.5A, 10V
    3V @ 250μA
    460pF @ 15V
    7nC @ 5V
    -
    5.5A
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    8
    187mg
    SILICON
    2
    PowerTrench®
    e3
    8
    EAR99
    40mOhm
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    30V
    鸥翼
    5.5A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    5 ns
    SWITCHING
    8ns
    13 ns
    1.5V
    20V
    4.6A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无SVHC
    无
    无铅
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FDS6930A FDS6930A ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 对比