SH8K12TB1
SH8K12TB1

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ROHM Semiconductor SH8K12TB1

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型号

SH8K12TB1

utmel 编号

2078-SH8K12TB1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP

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SH8K12TB1
SH8K12TB1 ROHM Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP

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SH8K12TB1详情

ROHM Semiconductor SH8K12TB1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    2W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 功率 - 最大

    2W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    42m Ω @ 5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    250pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    4nC @ 5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 连续放电电流(ID)

    5A

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & SH8K12TB1相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Max Power Dissipation
    RoHS Status
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Mounting Type
    查看对比:
  • SH8K12TB1

    SH8K12TB1

    Surface Mount

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    30V

    5 A

    2 W

    ROHS3 Compliant

    1 (Unlimited)

    Surface Mount

  • FDS6630A

    Surface Mount

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    -

    6.5 A

    -

    ROHS3 Compliant

    1 (Unlimited)

    Surface Mount

  • FDS6930A

    Surface Mount

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    -

    5.5 A

    900 mW

    ROHS3 Compliant

    1 (Unlimited)

    Surface Mount

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SH8K12TB1拓展信息

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