您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 SKW25N120FKSA1 vs HGTG18N120BND

SKW25N120FKSA1备选型号: HGTG18N120BND

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 极性
  • 接通延迟时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    SKW25N120FKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON SKW25N120IGBT Single Transistor, 46 A, 3.6 V, 313 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    313W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    313W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    40ns
    N-CHANNEL
    1.2kV
    46A
    90 ns
    TO-247AC
    1200V
    86 ns
    3.6V @ 15V, 25A
    862 ns
    NPT
    225nC
    84A
    45ns/730ns
    3.7mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG18N120BND
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 54A 390W TO247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    390W
    -
    -
    -
    -
    Single
    390W
    -
    Standard
    MOTOR CONTROL
    22ns
    -
    1.2kV
    54A
    75 ns
    -
    1200V
    38 ns
    2.7V @ 15V, 18A
    345 ns
    NPT
    165nC
    160A
    23ns/170ns
    1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    6.39g
    2.45V
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    1.2kV
    54A
    NPN
    23 μs
    20V
    200ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
HGTG10N120BND HGTG10N120BND ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 1200V 35A 298W TO247 对比
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 1200V 40A 288W TO247 对比
HGTG18N120BND HGTG18N120BND ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 1200V 54A 390W TO247 对比