Infineon Technologies SKW25N120FKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 25A, 22 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

313W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

313W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

上升时间

40ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

46A

反向恢复时间

90 ns

JEDEC-95代码

TO-247AC

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

86 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.6V @ 15V, 25A

关断时间-标准值（toff)

862 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

225nC

集极脉冲电流（Icm）

84A

Td（开/关）@25°C

45ns/730ns

开关能量

3.7mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅