ON Semiconductor HGTG18N120BND

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.45V

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 18A, 3 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

170 μs

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

390W

额定电流

54A

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

390W

输入类型

Standard

接通延迟时间

23 μs

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

22ns

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

54A

反向恢复时间

75 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

38 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 18A

关断时间-标准值（toff)

345 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

165nC

集极脉冲电流（Icm）

160A

Td（开/关）@25°C

23ns/170ns

开关能量

1.9mJ (on), 1.8mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

最大下降时间 (tf)

200ns

高度

20.82mm

长度

15.87mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅