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首页 全部分类 SMA5118 vs 2SB14350RA

SMA5118备选型号: 2SB14350RA

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • Sanken
    SMA5118
    Sanken
    MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    12-SIP
    SILICON
    6
    150°C TJ
    Tube
    2001
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    8541.29.00.95
    4W
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    12
    R-PSIP-T12
    不合格
    COMPLEX
    增强型MOSFET
    4W
    6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 1mA
    770pF @ 10V
    500V
    5A
    5A
    10A
    500V
    45 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Panasonic Electronic Components
    2SB14350RA
    Panasonic Electronic Components
    TRANS PNP 50VCEO 2A MT-3
    -
    通孔
    通孔
    3-SIP
    -
    50V
    150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    2003
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1.5W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.5W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    MT-3-A1
    -50V
    -2A
    2SB1435
    PNP
    300mV
    2A
    120 @ 200mA 2V
    100nA ICBO
    300mV @ 50mA, 1A
    50V
    50V
    80MHz
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