SMA5118备选型号: 2SD2138AQA

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • Sanken
    MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    12-SIP
    SILICON
    6
    150°C TJ
    Tube
    2001
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    8541.29.00.95
    4W
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    12
    R-PSIP-T12
    不合格
    COMPLEX
    增强型MOSFET
    4W
    6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 1mA
    770pF @ 10V
    500V
    5A
    5A
    10A
    500V
    45 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Panasonic Electronic Components
    TRANS NPN LF 80VCEO 2A MT-4
    -
    通孔
    通孔
    3-SIP
    -
    80V
    150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    2008
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    15W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    15W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    3
    MT-4-A1
    80V
    2A
    2SD2138
    NPN - Darlington
    2.5V
    2A
    2000 @ 2A 4V
    100μA
    2.5V @ 8mA, 2A
    80V
    80V
    20MHz
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