SMA5118备选型号: 2SD225900A
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 质量
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP12 Weeks通孔通孔12-SIPSILICON6150°C TJTube2001yes活跃1 (Unlimited)128541.29.00.954WSINGLE未说明unknown未说明12R-PSIP-T12不合格COMPLEX增强型MOSFET4W6 N-Channel (3-Phase Bridge)SWITCHING1.4 Ω @ 2.5A, 10V4V @ 1mA770pF @ 10V500V5A5A10A500V45 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard符合RoHS标准无铅------------------
- TRANS NPN 20VCEO 700MA MT-2-通孔通孔3-SIP-20V150°C TJTape & Box (TB)2003-Obsolete1 (Unlimited)--1W---------1W-------------符合RoHS标准无铅3MT-2-A14.535924g20V700mA2SD2259NPN400mV700mA1000 @ 150mA 10V10μA400mV @ 50mA, 500mA20V20V55MHz6.35mm127mm88.9mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SB14350RA | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 3-SIP | TRANS PNP 50VCEO 2A MT-3 | 对比 |
![]() | 2SD225900A | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 3-SIP | TRANS NPN 20VCEO 700MA MT-2 | 对比 |
![]() | 2SD2138AQA | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 3-SIP | TRANS NPN LF 80VCEO 2A MT-4 | 对比 |






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