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SMP3003-TL-1E备选型号: AUIRF3808S
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 系列
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FDACTIVE (Last Updated: 6 days ago)11 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB21.946308gSILICON100A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2002e6yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)SINGLE鸥翼2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET90WDRAIN95 nsP-Channel8m Ω @ 50A, 10V13400pF @ 20V280nC @ 10V1μs75V±20V820 ns100A20V400A75V468 mJ无ROHS3 Compliant无铅----------------
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK-9 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON106A Tc-55°C~175°C TJTube2011e3-Obsolete1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼---增强型MOSFET200WDRAIN16 nsN-Channel7m Ω @ 82A, 10V5310pF @ 25V220nC @ 10V140ns-±20V120 ns106A20V550A--无ROHS3 Compliant-TinHEXFET®AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY26030R-PSSO-G2SingleSWITCHING4V @ 250μA2V0.007Ohm75V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF3808S | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK | 对比 |
| IRFS3307ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |
| BBS3002-TL-1E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 100A | 对比 |
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