ON Semiconductor SMP3003-TL-1E
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SMP3003-TL-1E
1807-SMP3003-TL-1E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
--最小包装量--
SMP3003-TL-1E详情
ON Semiconductor SMP3003-TL-1E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
11 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
2
质量
1.946308g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
90W Tc
Turn Off Delay Time
800 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
引脚数量
2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
90W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
95 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 50A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13400pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
280nC @ 10V
上升时间
1μs
漏源电压 (Vdss)
75V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
820 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
DS 击穿电压-最小值
75V
雪崩能量等级(Eas)
468 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SMP3003-TL-1E拓展信息
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