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SPB12N50C3ATMA1备选型号: SPB11N60C3ATMA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET Transistor, N Channel, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON11.6A Tc3.9V @ 500μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2005e3noObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)雪崩 额定560V鸥翼11.6AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET125W10 nsN-Channel380m Ω @ 7A, 10V无卤素1200pF @ 25V49nC @ 10V8ns±20V8 ns11.6A20V500V3 V无SVHC无符合RoHS标准无铅------------ MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES4SILICON13.9V @ 500μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2005e3no不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)雪崩 额定-鸥翼-R-PSSO-G2-增强型MOSFET--N-Channel380m Ω @ 7A, 10V-1200pF @ 25V60nC @ 10V-±20V-----not_compliant-ROHS3 Compliant-SINGLE未说明未说明不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE650V11A0.38Ohm33A600V340 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 | 对比 |
| SPB11N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | 对比 |
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