Infineon Technologies SPB12N50C3ATMA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 500μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

560V

终端形式

鸥翼

额定电流

11.6A

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 7A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

49nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

11.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

500V

栅源电压

3 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅