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首页 全部分类 SPD03N50C3ATMA1 vs STD5N60M2

SPD03N50C3ATMA1备选型号: STD5N60M2

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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    SPD03N50C3ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    PG-TO252-3-1
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    560V
    3.2A
    38W
    10 ns
    N-Channel
    1.4Ohm @ 2A, 10V
    3.9V @ 135μA
    350pF @ 25V
    15nC @ 10V
    5ns
    500V
    ±20V
    15 ns
    3.2A
    20V
    500V
    350pF
    1.25Ohm
    1.4 Ω
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD5N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    3.5A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    11.8 ns
    N-Channel
    1.4 Ω @ 1.7A, 10V
    4V @ 250μA
    211pF @ 100V
    8.5nC @ 10V
    3ns
    -
    ±25V
    15 ns
    3.5A
    25V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    3.949996g
    SILICON
    2
    EAR99
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STD5N
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    600V
    80 mJ
    无铅
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