SPD03N60C3ATMA1备选型号: STD6N65M2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 质量
- 系列
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK8 WeeksTin表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633PG-TO252-3-13.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°C650V3.2ASingle38W7 nsN-Channel1.4Ohm @ 2A, 10V3.9V @ 135μA400pF @ 25V17nC @ 10V3ns600V±20V12 ns3.2A3V20V600V400pF1.4Ohm1.4 Ω3 V2.413mm6.73mm6.223mm无SVHCROHS3 Compliant无铅--------
- STMICROELECTRONICS STD6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V16 Weeks-表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-4A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)-活跃1 (Unlimited)------19 nsN-Channel1.35 Ω @ 2A, 10V4V @ 250μA226pF @ 100V9.8nC @ 10V7ns-±25V20 ns4A3V25V650V-------无SVHCROHS3 Compliant-表面贴装3.949996gMDmesh™EAR99未说明未说明STD6N1
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD6N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | STMICROELECTRONICS STD6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
![]() | SPD03N60S5BTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |





哦! 它是空的。