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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.495658
10
¥16.505338
100
¥15.571073
500
¥14.689692
1000
¥13.8582
Infineon Technologies SPD03N60C3ATMA1
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- 对比
SPD03N60C3ATMA1
1211-SPD03N60C3ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPD03N60C3ATMA1详情
Infineon Technologies SPD03N60C3ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
38W Tc
Turn Off Delay Time
64 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
650V
额定电流
3.2A
元素配置
Single
功率耗散
38W
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 135μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
上升时间
3ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
3.2A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
600V
输入电容
400pF
漏源电阻
1.4Ohm
最大rds
1.4 Ω
栅源电压
3 V
高度
2.413mm
长度
6.73mm
宽度
6.223mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SPD03N60C3ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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